IRL7472L1TRPBF

IRL7472L1TRPBF 是一款采用 DirectFET™ L8 封装的 40V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET。它针对低 RDS（导通）和高电流能力进行了优化。该器件非常适合要求性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合可满足包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器在内的广泛应用。应用包括有刷电机驱动应用、BLDC 电机驱动应用、电池供电电路、半桥和全桥拓扑结构、同步整流器应用、谐振模式电源、OR-ing 和冗余电源开关、DC/DC 和 AC/DC 转换器、DC/AC 逆变器。

• 优化的逻辑电平驱动器
• 改良的门极, 雪崩与动态dv/dt耐用性
• 完全表征电容值与雪崩SOA
• 增强型体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
• 漏极至源极击穿电压最低为 40V（VGS = 0V，ID = 250µA，TJ = 25°C）
• 击穿电压温度系数为 30mV/°C（典型值，25°C，ID = 5.0m）
• 静态漏极至源极导通电阻为 0.34mohm（典型值，VGS = 10V，ID = 195A，TJ = 25°C）
• 栅极阈值电压范围为 1.0 至 2.5V（VDS = VGS，ID = 250µA，TJ = 25°C）
• 内部栅极电阻为 1.0 ohm（典型值，TJ = 25°C）
• 直接 FET 大罐 (L8) 封装，工作结温范围为 -55 至 + 175°C

警告

该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。