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IRLHS6376TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRLHS6376TRPBF
库存编号2579953RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001573000
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续3.6A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道3.6A
在电阻RDS（上）0.048ohm
连续漏极电流 Id P沟道3.6A
漏源通态电阻N沟道0.048ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.048ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型DFN2020
阈值栅源电压最大值800mV
针脚数8引脚
功耗 Pd1.5W
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
3.6A
连续漏极电流 Id N沟道
3.6A
连续漏极电流 Id P沟道
3.6A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
800mV
功耗 Pd
1.5W
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.048ohm
漏源通态电阻N沟道
0.048ohm
漏源导通电阻P沟道
0.048ohm
晶体管封装类型
DFN2020
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001