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IRLMS2002TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品概述
The IRLMS2002TRPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The Micro6™ package with its customized lead-frame produces a HEXFET® power MOSFET. This package is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. It's unique thermal design and RDS (ON) reduction enables a current-handling increase of nearly 300%.
- Ultra-low ON-resistance
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6.5A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.03ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
6引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
IRLMS2002TRPBF 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000062