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IRLR3802PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 12 V, 84 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 500+ | CNY4.510 (CNY5.0963) |
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| 5000+ | CNY4.180 (CNY4.7234) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRLR3802PBF
库存编号8660190
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续84A
漏源接通状态电阻8500µohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.9V
功率耗散88W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2018)
产品概述
The IRLR3802PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for high frequency 3.3 and 5V input point-of-load synchronous buck converters.
- Ultra-low gate impedance
- Very low static drain-to-source ON-resistance
- Fully avalanche rating
- Logic level
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
84A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
88W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2018)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
8500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004