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IRLZ44ZSTRLPBF 的替代之选
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产品概述
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Logic level
- Ultra low on-resistance
- 175°C operating temperature
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Capable of being wave-soldered
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current carrying capability package
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
51A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
80W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.0135ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001814