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ISC151N20NM6ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 74 A, 0.014 ohm, TDSON-FL, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号ISC151N20NM6ATMA1
库存编号4351797RL
产品范围OptiMOS 6 Series
也称为ISC151N20NM6, SP005562947
技术数据表
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号ISC151N20NM6ATMA1
库存编号4351797RL
产品范围OptiMOS 6 Series
也称为ISC151N20NM6, SP005562947
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续74A
漏源接通状态电阻0.014ohm
晶体管封装类型TDSON-FL
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压15V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散200W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 6 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
ISC151N20NM6ATMA1是一款采用8引脚TDSON-FL封装的200V OptiMOS™6功率晶体管，满足高功率密度、高效率和高可靠性的需求。OptiMOS™ 6 200V技术专为电动驱动应用（如轻型电动车辆、叉车和无人机）优化设计。新一代OptiMOS™ 6具备业界领先的导通电阻(RDS(on))、增强的开关性能与电流分流能力，可实现高功率密度、减少并联需求并提供卓越的电磁干扰(EMI)性能。优化的开关特性使OptiMOS™ 6 200V系列成为电信、服务器、太阳能及音频等各类开关应用的理想选择。此外，宽安全工作区与业界领先的导通电阻相结合，使其完美适用于电池管理系统等静态开关应用。
- 极低导通电阻RDS(on)仅15.1mohm
- 持续漏极电流为74A
- 极低的反向恢复电荷(Qrr)
- 100%雪崩测试
- 功耗为200W
- 工作温度范围 -55 至 175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
74A
晶体管封装类型
TDSON-FL
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
200W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.014ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS 6 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001