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S25FL512SAGBHVA10
闪存, 串行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, CFI、SPI, FBGA, 24 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY110.670 (CNY125.0571) |
| 10+ | CNY97.460 (CNY110.1298) |
| 25+ | CNY81.610 (CNY92.2193) |
| 50+ | CNY73.690 (CNY83.2697) |
| 100+ | CNY68.410 (CNY77.3033) |
| 250+ | CNY65.750 (CNY74.2975) |
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S25FL512SAGBHVA10
库存编号3018604
也称为SP005658633, S25FL512SAGBHVA10
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度512Mbit
记忆配置64M x 8位
接口CFI、SPI
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数24引脚
时钟频率最大值133MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围3V Serial NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
S25FL512SAGBHVA10 是一款采用 24 引脚 FBGA 封装的 S25FL 3V 串行外设接口 (SPI) 闪存。
- 512Mb 密度
- 65 nm MIRRORBIT™ 工艺技术
- 133MHz 速度
- 具有多功能 I/O 的 CMOS 3.0V 内核
- 带多 I/O 的 SPI
- 最少 100,000 次程序擦除循环
- 数据至少保存 20 年
- 内核电源电压范围为 2.7V 至 3.6V
- 区块保护和高级扇区保护（ASP）功能
- 工业温度范围: -40°C到+105°C
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
64M x 8位
IC 外壳 / 封装
FBGA
时钟频率最大值
133MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
512Mbit
接口
CFI、SPI
针脚数
24引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001361