打印页面
SPD08P06PGBTMA1
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 8.83 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
45,228 有货
需要更多？
4475 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
40753 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.500 (CNY8.475) |
| 10+ | CNY5.020 (CNY5.6726) |
| 100+ | CNY3.480 (CNY3.9324) |
| 500+ | CNY3.050 (CNY3.4465) |
| 1000+ | CNY2.800 (CNY3.164) |
| 5000+ | CNY2.540 (CNY2.8702) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY7.50 (CNY8.48 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号SPD08P06PGBTMA1
库存编号2212864
也称为SPD08P06P G, SP000450534
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续8.83A
漏源接通状态电阻0.23ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压6.2V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散42W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SPD08P06P G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC Q101
- dV/dt Rated
- Qualified according to AEC-Q101
- Green device
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
8.83A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
6.2V
功率耗散
42W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.23ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003