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SPD18P06PGBTMA1
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 18.6 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号SPD18P06PGBTMA1
库存编号2212859
也称为SPD18P06P G, SP000443926
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续18.6A
漏源接通状态电阻0.1ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散80W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The SPD18P06P G is a -60V P-channel Power MOSFET that consistently meets highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and Figure of Merit characteristics.
- Enhancement mode
- Avalanche rated
- dv/dt Rated
- AEC-Q101 qualified
警告
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
18.6A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
80W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001134