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SPW55N80C3FKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, 通孔
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号SPW55N80C3FKSA1
库存编号2443414
也称为SPW55N80C3, SP000849356
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds850V
电流, Id 连续54.9A
漏源接通状态电阻0.077ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散500W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
SPW55N80C3是一款800V N沟道CoolMOS™功率MOSFET，具有较低的特定导通电阻。CoolMOS™ MOSFET大大降低了传导、开关和驱动损耗，并实现了高功率密度和效率，适用于卓越的电源转换系统。最新一代最先进的高压功率MOSFET使AC-DC电源比以前更高效、更紧凑、更轻、更冷。
- 输出电容的能量存储非常低 (Eoss) (400V)
- 低栅极电荷 (Qg)
- 高效率, 高功率密度
- 出色的性能
- 高可靠性
- 易于使用
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
54.9A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
850V
漏源接通状态电阻
0.077ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00542