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IS62WV51216BLL-55TLI
芯片, 存储器, SRAM, 8MB, 512K X 16位, 55 NS存取时间, TTL接口, 2.5 V至3.6 V 电源, TSOP-II-44
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| 50+ | CNY46.100 (CNY52.093) |
| 100+ | CNY45.100 (CNY50.963) |
| 250+ | CNY43.930 (CNY49.6409) |
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产品信息
制造商产品编号IS62WV51216BLL-55TLI
库存编号1869969
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度8Mbit
记忆配置512K x 16位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数44引脚
电源电压最小值2.5V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3.3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
MSLMSL 5 - 48小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb高速静态RAM, 512K字, 每字16位. 它使用ISSI的高性能CMOS技术制造. 这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合, 可获得高性能和低功耗的器件. 当CS1为HIGH (取消选择)或CS2为LOW (取消选择) 或CS1为LOW时, CS2为HIGH, 而且LB与UB均为HIGH时, 器件进入待机模式, 在此模式下, CMOS输入电平可降低功耗. 通过使用Chip Enable和Output Enable输入, 可提供存储器扩展. 低电平有效Write Enable (WE)控制存储器的写入和读取. 数据字节允许高字节 (UB)和低字节 (LB)访问.
- 36mW运作 (典型值), 12μW (典型值)CMOS待机CMOS低功耗运作
- TTL兼容接口电平
- 完全静态运行, 无需时钟或刷新
- 三态输出
- 数据控制用于高与低字节
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
512K x 16位
针脚数
44引脚
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
存储密度
8Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
2.5V
额定电源电压
3.3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
MSL
MSL 5 - 48小时
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002186