打印页面
IR2109PBF
双路驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-8
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
2,310 有货
需要更多？
2310 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.170 (CNY22.7921) |
| 10+ | CNY16.660 (CNY18.8258) |
| 25+ | CNY14.640 (CNY16.5432) |
| 50+ | CNY14.500 (CNY16.385) |
| 100+ | CNY14.350 (CNY16.2155) |
| 250+ | CNY13.830 (CNY15.6279) |
| 500+ | CNY13.680 (CNY15.4584) |
| 1000+ | CNY13.530 (CNY15.2889) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY20.17 (CNY22.79 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品概述
High voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels.
- Floating channel designed for bootstrap operation fully operational to +600V
- Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
- Gate drive supply range from 10 to 20V
- Undervoltage lockout for both channels
- 3.3V, 5V and 15V input logic compatible
- Cross-conduction prevention logic
- Matched propagation delay for both channels
- High side output in phase with HIN input
- Logic and power ground +/- 5V offset
- Lower di/dt gate driver for better noise immunity
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
通孔安装
拉电流
200mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
750ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
DIP
输入类型
非反向
灌电流
350mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
200ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
相关产品
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002419