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IR2111SPBF
双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
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|---|---|
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| 10+ | CNY11.760 (CNY13.2888) |
| 50+ | CNY11.400 (CNY12.882) |
| 100+ | CNY11.050 (CNY12.4865) |
| 250+ | CNY10.690 (CNY12.0797) |
| 500+ | CNY10.620 (CNY12.0006) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IR2111SPBF
库存编号8638861
也称为IR2111SPBF, SP001535352
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置半桥
电源开关类型MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流250mA
灌电流500mA
电源电压最小值10V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟750ns
输出延迟150ns
产品范围-
合规-
MSLMSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IR2111SPBF 是一款高电压高速功率MOSFET与IGBT半桥驱动器, 带独立的高压侧与低压侧参考输出通道, 设计用于半桥应用. 专有的HVIC与闭锁免疫CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构. 逻辑输入与标准CMOS输出兼容. 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级, 旨在实现最小的驱动器交叉传导. 提供内部死区时间, 以避免输出半桥直通。浮动通道可用于驱动高压侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT, 工作电压可达600V。
- 浮动通道设计用于自举运作
- 可承受负瞬态电压 (DV/DT免疫)
- 两条通道具有欠压闭锁
- CMOS施密特触发输入, 具有下拉功能
- 两条通道具有匹配的传播延迟
- 内部设置停滞时间
- 高压侧输出与输入同相
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
250mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
750ns
产品范围
-
MSL
MSL 2 - 1年
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
500mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
150ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000161