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产品概述
High voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with 3 independent high and low side referenced output channels for 3-phase applications.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Fully operational to +600V
- Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
- Undervoltage lockout for all channels
- Over-current shutdown turns off all six drivers
- Independent 3 half-bridge drivers
- Matched propagation delay for all channels
- Cross-conduction prevention logic
- 3.3V logic compatible
- Lower di/dt gate drive for better noise immunity
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道数
6放大器
驱动配置
3相桥
针脚数
28引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
200mA
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
400ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
反相
灌电流
350mA
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
380ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Indonesia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Indonesia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.013608