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IRF1010EPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品概述
The IRF1010EPBF is a 60V single N-channel HEXFET Power MOSFET with advanced process technology. Advanced HEXFET® power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Ultra low on-resistance
- Dynamic dv/dt rating
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Industry-leading quality
- Planar MOSFET technology
- ±20V gate to source voltage
- 1.4W/°C linear derating factor
- 50A avalanche current (IAR)
- 0.75°C/W thermal resistance, junction to case
- 62°C/W thermal resistance, junction to ambient
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
81A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
170W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.012ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002712