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IRF1018EPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, 通孔
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产品概述
The IRF1018EPBF is a 60V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with high speed power switching and enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability.
- High efficiency synchronous rectification in SMPS
- High frequency hard switching converter
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
79A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
110W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
7100µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
IRF1018EPBF 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002