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IRF3205PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-220AB, 通孔
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.770 (CNY12.1701) |
| 10+ | CNY6.100 (CNY6.893) |
| 100+ | CNY5.910 (CNY6.6783) |
| 500+ | CNY5.320 (CNY6.0116) |
| 1000+ | CNY4.530 (CNY5.1189) |
| 5000+ | CNY4.320 (CNY4.8816) |
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF3205PBF
库存编号1704017
产品范围HEXFET Series
也称为SP001559536
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续110A
漏源接通状态电阻8000µohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散200W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRF3205PBF是一款HEXFET® N沟道功率MOSFET, 具有极低的导通电阻和快速开关性能。HEXFET®功率MOSFET采用先进的处理技术, 以实现极低的导通电阻。这一特点加上HEXFET功率MOSFET的快速开关速度, 以及坚固耐用的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件, 可用于多种应用。
- 动态dv/dt额定值
- 雪崩级别
- 快速开关
- ±20V 栅-源电压
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
110A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
8000µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
IRF3205PBF 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002041