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IRF3205STRLPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF3205STRLPBF
库存编号2467988
也称为SP001576758
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续110A
漏源接通状态电阻0.008ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散200W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRF3205STRLPBF 是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 采用先进的技术, 具有极低的单位面积导通电组。这种性能结合快速开关速度, 以及坚固耐用的器件设计, 提供极高效率和可靠性。表面安装封装能够容纳HEX-4尺寸。该器件提供卓越的功率性能和极低的导通电阻。低内部连接电阻低, 适用于大电流应用, 在典型表面安装应用内, 可达2W功率耗散。
- 先进的工艺技术
- 动态dV/dt额定值
- 完全雪崩认证
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
110A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.008ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002121