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IRF520NPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, 通孔
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| 500+ | CNY2.730 (CNY3.0849) |
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| 5000+ | CNY2.560 (CNY2.8928) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF520NPBF
库存编号9103031
也称为SP001571310
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续9.7A
漏源接通状态电阻0.2ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散47W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IRF520NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Advanced process technology
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
9.7A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
47W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.2ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002041