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IRF5305PBF
功率场效应管, MOSFET, P通道, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF5305PBF
库存编号8648255
也称为SP001564354
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续31A
漏源接通状态电阻0.06ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散110W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRF5305PBF是一款-55V单P沟道HEXFET功率MOSFET, TO-220AB封装。此MOSFET具有极低的单位面积导通电, 额定动态dv/dt, 耐用的快速开关以及全雪崩额定, 功率MOSFET提供极高的效率和稳定性, 用于多种应用。
- 漏极至源极电压: -55V
- 栅极-源极电压: ±20V
- Vgs=-10V时, 导通电阻Rds (on)为60mohm
- 25°C, 功耗Pd: 110W
- Vgs -10V, 25°C, 连续漏电流Id: -31A
- 结温范围: -55°C到175°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
31A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
110W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.06ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002654