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IRF5801TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, 表面安装
产品概述
The IRF5801TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters, DC switches and load switch.
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
600mA
晶体管封装类型
TSOP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
2.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5.5V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005