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IRF7343TRPBF
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7343TRPBF
库存编号2097999
也称为SP001565516
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道55V
连续漏极电流 Id N沟道4.7A
连续漏极电流 Id P沟道4.7A
漏源通态电阻N沟道0.043ohm
漏源导通电阻P沟道0.043ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRF7343TRPBF 是一款双N/P沟道MOSFET, 采用最新的处理技术, 实现极低的导通电阻。这款器件具有快开关速度和坚固耐用设计。HEXFET 功率MOSFET是一款高效率器件, 可用于多种应用。SO-8经过优化, 采用定制引线框架, 以增强温度特性和双管芯功能, 非常适合电源应用。通过这些改进, 可以同时使用多个器件从而缩小电路板空间。
- 第五代技术
- 超低导通电阻
- 表面安装设备
- 雪崩级别
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
55V
连续漏极电流 Id P沟道
4.7A
漏源导通电阻P沟道
0.043ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
MSL
-
漏源电压Vds N沟道
55V
连续漏极电流 Id N沟道
4.7A
漏源通态电阻N沟道
0.043ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000213