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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF9530NPBF
库存编号8648603
产品范围HEXFET Series
也称为SP001570634
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续13A
漏源接通状态电阻0.2ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散79W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IRF9530NPBF is -100V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 200mohm
- Power dissipation Pd of 79W at 25°C
- Continuous drain current Id of -14A at Vgs -10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
13A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
79W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.2ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002041