打印页面
图片仅用于图解说明,详见产品说明。
49,006 有货
需要更多?
18 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
48988 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
数量 | 价钱 (含税) |
---|---|
1+ | CNY13.070 (CNY14.7691) |
10+ | CNY6.400 (CNY7.232) |
100+ | CNY5.450 (CNY6.1585) |
500+ | CNY4.560 (CNY5.1528) |
1000+ | CNY4.480 (CNY5.0624) |
5000+ | CNY4.390 (CNY4.9607) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY13.07 (CNY14.77 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF9540NPBF
库存编号8648620
产品范围HEXFET Series
也称为SP001560174
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续23A
漏源接通状态电阻0.117ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散140W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IRF9540NPBF is -100V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 117mohm at Vgs of -10V
- Power dissipation Pd of 140W at 25°C
- Continuous drain current Id of -23A at Vgs -10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
23A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
140W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.117ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002041