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IRF9952TRPBF
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.08 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF9952TRPBF
库存编号2468029
也称为SP001555914
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道3.5A
连续漏极电流 Id P沟道3.5A
漏源通态电阻N沟道0.08ohm
漏源导通电阻P沟道0.08ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- Dual N-and P- channel HEXFET® power MOSFET
- Generation V technology
- Ultra low on-resistance
- Very low gate charge and switching loses
- Fully avalanche rated
- Dynamic dv/dt rating
- Fast switching
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
3.5A
漏源导通电阻P沟道
0.08ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
3.5A
漏源通态电阻N沟道
0.08ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536