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IRF9Z24NPBF
功率场效应管, MOSFET, P通道, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品概述
IRF9Z24NPBF是一款-55V单P沟道HEXFET®功率MOSFET，第五代HEXFET采用先进的处理技术，实现了单位硅面积的极低导通电阻。这一优点与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计者提供了一个极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。在功率耗散水平达到约50W时，该封装是所有商业-工业应用的普遍首选。
- 先进的工艺技术
- 动态dV/dt额定值
- 雪崩级别
- 175°C工作温度
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
45W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.175ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00259