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| 500+ | CNY10.990 (CNY12.4187) |
| 1000+ | CNY9.350 (CNY10.5655) |
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产品概述
IRFB260NPBF 是一款200V单N沟道HEXFET® 功率MOSFET, 采用先进的平面技术, 具有极低的导通电阻, 以及快速开关性能。
- 低栅极-漏极电荷, 减少开关损耗
- 完全表征电容, 包括有效COSS, 可简化设计
- 全面表征雪崩电压和电流
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
56A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
380W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.04ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.002