打印页面
IRFB4110PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 180 A, 0.0045 ohm, TO-220AB, 通孔
可订购
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.480 (CNY19.7524) |
| 10+ | CNY8.970 (CNY10.1361) |
| 100+ | CNY8.140 (CNY9.1982) |
| 500+ | CNY8.020 (CNY9.0626) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY17.48 (CNY19.75 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFB4110PBF
库存编号1436955
也称为SP001570598
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续180A
漏源接通状态电阻0.0045ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散370W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRFB4110PBF 是一款100V单N沟道HEXFET® 功率MOSFET, 采用Trench MOSFET技术实现极低的导通电阻和快速开关性能。适用于高效同步整流, 用于SMPS, 不间断电源, 高速电源开关, 硬开关和高频电路。
- 改良的门极, 雪崩与动态dv/dt耐用性
- 完全表征电容值与雪崩SOA
- 增强体二极管dV/dt与dI/dt功能
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
180A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
370W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0045ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
IRFB4110PBF 的替代之选
找到 1 件产品
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002041