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IRFB4127PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品概述
单N沟道HEXFET®功率MOSFET适用于SMPS, 不间断电源, 高速电源开关, 以及高频电路应用的高效同步整流功能。
- 改良门极, 雪崩与动态dv/dt耐用性
- 完全表征电容值与雪崩SOA
- 增强体二极管dV/dt与dI/dt功能
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
76A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.02ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00264