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IRFB4227PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFB4227PBF
库存编号1298536
产品范围HEXFET Series
也称为SP001565892
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续65A
漏源接通状态电阻0.024ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散330W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRFB4227PBF是一款200V单N通道HEXFET®功率MOSFET PDP开关, 设计用于维持, 能量回收和开关应用, 适用于等离子显示面板。采用最新的技术, 实现了非常低的导通电阻和EPULSE等级。
- 175°C工作温度
- 低QG, 快速响应
- 高重复性峰值电流能力, 高可靠运行
- 下降和上升时间非常短, 快速开关
- 重复性雪崩能力, 确保可靠性
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
65A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
330W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.024ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00195