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IRFP250NPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, 通孔
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFP250NPBF
库存编号8649260
也称为SP001554946
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续30A
漏源接通状态电阻0.075ohm
晶体管封装类型TO-247AC
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散214W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRFP250NPBF是200V单N沟道HEXFET功率MOSFET，采用TO-247AC封装。这种MOSFET的特点是单位硅面积的导通电阻极低，动态dv/dt等级，易于并联，坚固耐用，开关速度快，驱动要求简单，并且具有完全雪崩等级，因此，众所周知，功率MOSFET具有极高的效率和可靠性，可以用于各种应用。
- 漏极至源极电压 (Vds): 200V
- 栅-源电压: ±20V
- Vgs 10V时, 电阻Rds (on)为75mohm
- 25°C, 功耗Pd: 214W
- Vgs 10V, 25°C, 连续漏电流Id: 30A
- 工作结温范围: -55°C至175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
30A
晶体管封装类型
TO-247AC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
214W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.075ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.007167