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IRFP4668PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, 通孔
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFP4668PBF
库存编号1684526
产品范围HEXFET Series
也称为SP001572854
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续130A
漏源接通状态电阻0.008ohm
晶体管封装类型TO-247AC
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压30V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散520W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRFP4668PBF是200V单N沟道HEXFET功率MOSFET，采用TO-247AC封装。该MOSFET具有改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性、快速开关的特点。适用于SMPS的高效同步整流、不间断电源、高速电源开关、硬开关和高频电路。
- 增强体二极管dV/dt与dI/dt功能
- 完全表征电容值与雪崩SOA
- 漏极至源极电压 (Vds): 200V
- 栅-源电压: ±30V
- Vgs 10V时, 电阻Rds (on)为mohm
- 25°C, 功耗Pd: 520W
- 工作结温范围: -55°C至175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
130A
晶体管封装类型
TO-247AC
Rds(on)测试电压
30V
功率耗散
520W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.008ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006