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IRFP4668PBF
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 130A, TO-247AC
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|---|---|
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产品信息
制造商产品编号IRFP4668PBF
库存编号2138040
产品范围HEXFET Series
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续130A
漏源接通状态电阻0.008ohm
晶体管封装类型TO-247AC
晶体管安装Through Hole
Rds(on)测试电压30V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散520W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
技术规格
通道类型
N Channel
电流, Id 连续
130A
晶体管封装类型
TO-247AC
Rds(on)测试电压
30V
功率耗散
520W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.008ohm
晶体管安装
Through Hole
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00567