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IRFR7546TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 56 A, 7900 µohm, TO-252AA, 表面安装
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| 100+ | CNY4.290 (CNY4.8477) |
| 500+ | CNY3.370 (CNY3.8081) |
| 1000+ | CNY2.480 (CNY2.8024) |
| 5000+ | CNY2.470 (CNY2.7911) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFR7546TRPBF
库存编号2456720
也称为SP001567604
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续56A
漏源接通状态电阻7900µohm
晶体管封装类型TO-252AA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.7V
功率耗散99W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRFR7546TRPBF 是一款HEXFET® 单N沟道功率MOSFET, 增强栅极, 雪崩, 动态dV/dt耐用性能。适用于电池供电电路, 同步整流器应用, 半桥和全桥拓扑。
- 完全表征电容值与雪崩SOA
- 增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
56A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
99W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
7900µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001