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IRL3705NPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, 通孔
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| 100+ | CNY8.370 (CNY9.4581) |
| 500+ | CNY6.750 (CNY7.6275) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRL3705NPBF
库存编号8651019
也称为SP001578520
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds55V
电流, Id 连续77A
漏源接通状态电阻0.01ohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散130W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Logic level gate drive
- Dynamic dv/dt rating
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Planar cell structure for wide SOA
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current carrying capability package (up to 195A, die-size dependent)
- Capable of being wave-soldered
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
77A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
130W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.01ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002