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IRLB4030PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 110 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, 通孔
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|---|---|
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| 10+ | CNY17.700 (CNY20.001) |
| 100+ | CNY12.860 (CNY14.5318) |
| 500+ | CNY11.710 (CNY13.2323) |
| 1000+ | CNY10.560 (CNY11.9328) |
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产品概述
The IRLB4030PBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for DC motor drive, high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Optimized for logic level drive
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
- Superior R*Q at 4.5V VGS
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
110A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
370W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0043ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
IRLB4030PBF 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002