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IRLL014NTRPBF
功率场效应管, MOSFET, HEXFET, N通道, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, 表面安装
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| 10+ | CNY2.450 (CNY2.7685) |
| 100+ | CNY2.280 (CNY2.5764) |
| 500+ | CNY1.900 (CNY2.147) |
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| 5000+ | CNY1.590 (CNY1.7967) |
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产品概述
IRLL014NTRPBF 是一款HEXFET® 第五代单N沟道功率MOSFET, 采用先进的技术, 具有极低的单位面积导通电组。这种性能结合快速开关速度, 以及坚固耐用的器件设计, 提供极高效率和可靠性。该封装设计用于表面安装, 采用气相, 红外或波峰焊技术。与其他SOT或SOIC封装一样, 独特的封装设计可兼容自动pick-and-place, 具有更大的散热片, 提供优秀的散热性能。典型表面安装应用, 可提供1W功耗。
- 先进的工艺技术
- 动态dV/dt额定值
- 快速开关
- 完全雪崩认证
- 低静态漏-源导通电阻
- 逻辑电平
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.14ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000342