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IRLML2803TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 850 mA, 0.25 ohm, SOT-23, 表面安装
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|---|---|
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| 50+ | CNY0.897 (CNY1.0136) |
| 250+ | CNY0.852 (CNY0.9628) |
| 1000+ | CNY0.740 (CNY0.8362) |
| 3000+ | CNY0.704 (CNY0.7955) |
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产品信息
产品概述
The IRLML2803PBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. Fifth generation HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Low profile (<lt/>1.1mm)
- Ultra low on-resistance
- ±20V gate-source voltage
- Halogen-free
技术规格
漏源接通状态电阻
0.25ohm
合规
-
晶体管安装
表面安装
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033