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IRLML5203TRPBF
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, 表面安装
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|---|---|
| 5+ | CNY2.190 (CNY2.4747) |
| 50+ | CNY1.240 (CNY1.4012) |
| 250+ | CNY1.050 (CNY1.1865) |
| 1000+ | CNY0.945 (CNY1.0678) |
| 3000+ | CNY0.774 (CNY0.8746) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRLML5203TRPBF
库存编号9103511
产品范围HEXFET Series
也称为SP001558846
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻0.098ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散1.25W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IRLML5203PBF是一款-30V单P沟道HEXFET功率MOSFET, Micro3 (SOT-23)封装. 该MOSFET具有极低的单位面积导通电阻, 坚固耐用, 开关速度快, 因此, 功率MOSFET可提供极高的效率与可靠性, 可用于多种应用, 例如电池管理, 便携式电子设备, PCMCIA卡, 并且非常适合印刷电路板空间有限的应用.
- 漏极至源极电压 (Vds): -30V
- 栅-源电压: ±20V
- Vgs -10V时, 电阻Rds (on)为98mohm
- 25°C, 功耗Pd: 1.25W
- Vgs -10V 25°C时, 连续漏电流Id: -3A
- 工作结温范围: -55°C至150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.098ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
MSL
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033