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IRS2184SPBF
双路MOSFET驱动器芯片, 高和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 270ns延迟, SOIC-8
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产品概述
IRS2184SPBF 是一款高压高速功率MOSFET与IGBT半桥驱动器, 高压侧和低压侧参考输出通道. 专有的HVIC与闭锁免疫CMOS技术实现了稳定耐用的单片结构. 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容, 并且兼容3.3V逻辑. 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级, 旨在确保最小的驱动器交叉传导. 浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT, 高压侧配置下, 工作电压高达600V。
- 浮动通道设计用于自举运作
- 可承受负瞬态电压 (DV/DT免疫)
- 两条通道具有欠压闭锁
- 兼容3.3和5V输入逻辑
- 两条通道具有匹配的传播延迟
- 逻辑与电源接地±5V失调
- 低di/dt栅极驱动器, 增强抗噪能力
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
1.9A
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
680ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 2 - 1年
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
2.3A
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
270ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.045359