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IXFB30N120P
功率场效应管, MOSFET, N通道, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, 通孔
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| 10+ | CNY300.720 (CNY339.8136) |
| 50+ | CNY291.200 (CNY329.056) |
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产品信息
制造商产品编号IXFB30N120P
库存编号3438372
产品范围Polar HiPerFET
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds1.2kV
电流, Id 连续30A
漏源接通状态电阻0.35ohm
晶体管封装类型PLUS264
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值6.5V
功率耗散1.25kW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围Polar HiPerFET
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
30A
晶体管封装类型
PLUS264
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.25kW
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
1.2kV
漏源接通状态电阻
0.35ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
6.5V
针脚数
3引脚
产品范围
Polar HiPerFET
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004