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IXFH170N10P
功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N通道, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, 通孔
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| 10+ | CNY67.440 (CNY76.2072) |
| 50+ | CNY64.610 (CNY73.0093) |
| 100+ | CNY61.770 (CNY69.8001) |
| 250+ | CNY60.540 (CNY68.4102) |
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产品信息
制造商产品编号IXFH170N10P
库存编号1427292
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续170A
漏源接通状态电阻0.009ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压15V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散714W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
产品概述
The IXFH170N10P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-to-DC converters and laser drivers.
- International standard packages
- Avalanche rating
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
170A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
714W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.009ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006