打印页面
IXFH60N50P3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, 通孔
197 有货
需要更多？
197 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY68.660 (CNY77.5858) |
| 5+ | CNY64.680 (CNY73.0884) |
| 10+ | CNY60.690 (CNY68.5797) |
| 50+ | CNY56.700 (CNY64.071) |
| 100+ | CNY52.710 (CNY59.5623) |
| 250+ | CNY49.420 (CNY55.8446) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY68.66 (CNY77.59 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商产品编号IXFH60N50P3
库存编号2429711
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds500V
电流, Id 连续60A
漏源接通状态电阻0.1ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散1.04kW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
产品概述
The IXFH60N50P3 is a 500V N-channel Enhancement Mode Polar3™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- Avalanche rated
- Low inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space-saving s
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.04kW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.1ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006