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IXFK44N80P
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, TO-264, 通孔
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| 10+ | CNY133.040 (CNY150.3352) |
| 50+ | CNY126.240 (CNY142.6512) |
| 100+ | CNY119.440 (CNY134.9672) |
| 250+ | CNY114.740 (CNY129.6562) |
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产品信息
制造商产品编号IXFK44N80P
库存编号1427311
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds800V
电流, Id 连续44A
漏源接通状态电阻0.19ohm
晶体管封装类型TO-264
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散1.2kW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
产品概述
The IXFK44N80P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
44A
晶体管封装类型
TO-264
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.2kW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
0.19ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01