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产品信息
制造商产品编号IXFK80N50Q3
库存编号2674758
产品范围HiPerFET
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds500V
电流, Id 连续80A
漏源接通状态电阻0.065ohm
晶体管封装类型TO-264
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值6.5V
功率耗散1.25kW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围HiPerFET
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (17-Jan-2023)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-264
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.25kW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
500V
漏源接通状态电阻
0.065ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
6.5V
针脚数
3引脚
产品范围
HiPerFET
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.01