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IXFR140N30P
功率场效应管, MOSFET, N通道, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, 通孔
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| 10+ | CNY123.460 (CNY139.5098) |
| 50+ | CNY121.000 (CNY136.730) |
| 100+ | CNY120.060 (CNY135.6678) |
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产品信息
制造商产品编号IXFR140N30P
库存编号1300091
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds300V
电流, Id 连续82A
漏源接通状态电阻0.026ohm
晶体管封装类型ISOPLUS-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散360W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
产品概述
The IXFR140N30P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
- Silicon chip on direct-copper-bond substrate - High power dissipation and isolated mounting surface
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance - Easy to drive and to protect
- Easy to mount
- Space saving
- 2500V Electrical isolation voltage
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
82A
晶体管封装类型
ISOPLUS-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
360W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
300V
漏源接通状态电阻
0.026ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005