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IXFR36N60P
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 20 A, 0.2 ohm, ISOPLUS-247, 通孔
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|---|---|
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| 5+ | CNY98.830 (CNY111.6779) |
| 10+ | CNY81.890 (CNY92.5357) |
| 50+ | CNY80.180 (CNY90.6034) |
| 100+ | CNY78.470 (CNY88.6711) |
| 250+ | CNY76.760 (CNY86.7388) |
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产品概述
The IXFR36N60P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- Silicon chip on direct-copper-bond substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
- International standard package
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
ISOPLUS-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
208W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.2ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005