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IXFT18N100Q3
功率场效应管, MOSFET, Q3级, N通道, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-268 (D3PAK), 表面安装
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| 10+ | CNY148.690 (CNY168.0197) |
| 50+ | CNY144.810 (CNY163.6353) |
| 100+ | CNY140.920 (CNY159.2396) |
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产品信息
制造商产品编号IXFT18N100Q3
库存编号2674768
产品范围HiperFET
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds1kV
电流, Id 连续18A
漏源接通状态电阻0.66ohm
晶体管封装类型TO-268 (D3PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值6.5V
功率耗散830W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围HiperFET
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (17-Jan-2023)
产品概述
注释
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
TO-268 (D3PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
830W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
1kV
漏源接通状态电阻
0.66ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
6.5V
针脚数
3引脚
产品范围
HiperFET
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004