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IXBT42N300HV
IGBT, 104 A, 2.5 V, 500 W, 3 kV, TO-268HV, 3 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY384.800 (CNY434.824) |
| 5+ | CNY366.180 (CNY413.7834) |
| 10+ | CNY347.560 (CNY392.7428) |
| 50+ | CNY340.780 (CNY385.0814) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXBT42N300HV
库存编号3930188
产品范围BiMOSFET系列
技术数据表
连续集电极电流104A
集电极-发射极饱和电压2.5V
功率耗散500W
最大集电极发射电压3kV
晶体管封装类型TO-268HV
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
晶体管安装表面安装
产品范围BiMOSFET系列
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
产品概述
High voltage BIMOSFET™ monolithic Bipolar MOS transistor suitable for use in laser generators, capacitor discharge circuits, AC switches, protection circuits applications.
- High voltage package
- High blocking voltage
- High peak current capability
- Low saturation voltage
- FBSOA and SCSOA
- High power density
技术规格
连续集电极电流
104A
功率耗散
500W
晶体管封装类型
TO-268HV
工作温度最高值
150°C
产品范围
BiMOSFET系列
集电极-发射极饱和电压
2.5V
最大集电极发射电压
3kV
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001