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IXFH80N65X2-4
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, 通孔
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|---|---|
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| 10+ | CNY101.740 (CNY114.9662) |
| 50+ | CNY95.400 (CNY107.802) |
| 100+ | CNY89.060 (CNY100.6378) |
| 250+ | CNY82.710 (CNY93.4623) |
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产品信息
制造商LITTELFUSE
制造商产品编号IXFH80N65X2-4
库存编号3996604
产品范围HiPerFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续80A
漏源接通状态电阻0.038ohm
晶体管封装类型TO-247
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散890W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围HiPerFET Series
合规-
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
890W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.038ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
4引脚
产品范围
HiPerFET Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：South Korea
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001